在現(xiàn)代集成電路制造中，正光刻膠（Positive Photoresist）是[敏感詞]的主流選擇，尤其在先進制程（如 28nm、16nm、7nm 及以下）中，絕大多數(shù)關(guān)鍵層都使用正光刻膠。

1. 分辨率與線寬控制

1. 正膠的成像原理

• 正膠經(jīng)過曝光后會發(fā)生分子鏈斷裂，曝光區(qū)域更易溶于顯影液，最后留在晶圓表面的是“未曝光區(qū)域”。

• 這種方式最顯著的優(yōu)勢之一是分辨率高，能夠在更短波長（例如 193nm 甚至 EUV 13.5nm）下成像出更細微的線寬，滿足納米級器件制造需求。

2. 負膠的分辨率極限

• 對于負膠，被曝光的區(qū)域會發(fā)生交聯(lián)或硬化而殘留，分辨率通常不及正膠；其在微納級以下的細節(jié)表現(xiàn)力有限，難以滿足先進制程小線寬的要求。

• 在要求不高或宏觀線寬較大的情形（如 MEMS、顯示面板大圖形加工）中，負膠仍有一些應(yīng)用，但并不適合先進CMOS工藝核心層的極精細圖形。

2. 光源與光刻膠敏感性

1. 光源匹配性

• 光刻膠與光源波長緊密關(guān)聯(lián)。自 i線（365nm）、KrF（248nm）到 ArF（193nm）再到 EUV（13.5nm），正膠的配方與分子設(shè)計不斷演進，形成了完善的材料體系與成熟的工藝窗口。

• 負膠也能針對部分波長進行設(shè)計，但在主流工藝設(shè)備和工藝線中，正膠有著更好的生態(tài)體系和量產(chǎn)驗證。

2. 高分辨率需求的推動

• 芯片制程從微米跨入納米時代后，對光刻膠的感光度、分辨率、工藝容忍度等要求越來越嚴苛。成熟的正膠材料可配合多重曝光、浸沒式光刻等工藝，持續(xù)延伸至 7nm、5nm 等技術(shù)節(jié)點。

3. 工藝靈活性與反向顯影

1. 正膠負顯影（PTD）

• 在先進制程（16nm/14nm 及以下）中的通孔和金屬層，出現(xiàn)了將“正膠”配合“負顯影液”的反向顯影工藝。
• 其基本思路是：對正膠進行曝光后，使用特殊配方的負顯影液溶解未曝光的區(qū)域，最終留下的是曝光過的圖形。
• 這一反向操作能在某些工藝層中得到更高的圖形對比度和更好地控制溝槽尺寸，進一步印證正膠體系的靈活性與拓展性。

2. 負膠的應(yīng)用局限

• 在標準 CMOS 流程中，若需做大面積掩蔽層或粗線寬結(jié)構(gòu)，負膠偶爾也會被考慮。但在工藝的最關(guān)鍵層和先進線寬環(huán)節(jié)，正膠仍是主力。
• 負膠工藝窗口窄、圖形邊緣控制不如正膠精細，大規(guī)模推廣受到限制。

4. 結(jié)論：正膠為何是主流

• 分辨率
  ：能夠?qū)崿F(xiàn)更窄線寬，更適合先進制程。
• 材料配方成熟
  ：在主流光源（i線/193nm/EUV）都有完善的正膠家族，產(chǎn)業(yè)鏈與設(shè)備配套成熟。
• 工藝可擴展性
  ：正膠通過多重曝光、浸沒式光刻以及負顯影等改進手段，能夠滿足日益微縮的線寬要求。
• 應(yīng)用范圍廣
  ：無論是邏輯工藝（CPU、GPU）還是存儲器（DRAM、NAND）等，對高分辨率和高套準精度的需求都使得正膠成為[敏感詞]。

綜上所述，在集成電路制造領(lǐng)域，正光刻膠因為其高分辨率、穩(wěn)定的材料體系以及靈活的工藝擴展性，已成為從微米級到深亞納米級線寬所普遍采用的主流方案。負光刻膠雖然在某些特定領(lǐng)域或較粗線寬的應(yīng)用中仍然可見，但在先進 CMOS 制程中所占的比重相對很小，難以撼動正膠的主導(dǎo)地位。

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