近日，蔚來(lái)汽車(chē)發(fā)布自研芯片"神璣NX9031"，作為業(yè)界首款采用5nm車(chē)規(guī)工藝制造的高階智能駕駛芯片，其集成超500億顆晶體管的卓越性能引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。在這一技術(shù)突破背后，一個(gè)看似不起眼卻至關(guān)重要的電子元件——瞬態(tài)抑制二極管SMF13A，正默默守護(hù)著這些精密芯片的安全運(yùn)行。本文將探討瞬態(tài)抑制二極管如何成為智能駕駛系統(tǒng)……

近日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)重大利好消息——上揚(yáng)軟件正式啟動(dòng)12英寸特色工藝晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線CIM系統(tǒng)。這一突破標(biāo)志著我國(guó)在半導(dǎo)體制造關(guān)鍵系統(tǒng)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，為國(guó)產(chǎn)芯片自主可控再添重要砝碼。CIM（Computer Integrated Manufacturing）系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造工廠的"大腦"和"中樞神經(jīng)系統(tǒng)"，負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)控……

近日，西安交通大學(xué)電信學(xué)部李強(qiáng)副教授團(tuán)隊(duì)在光電芯片領(lǐng)域取得重大突破，成功研制出基于氮化硼材料的深紫外光電芯片。這一科研成果發(fā)表在《自然·通訊》雜志上，迅速引發(fā)科技界和產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。

3月26-28日，全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的"跨界全球·心芯相聯(lián)"SEMICON/FPD China 2025在上海新國(guó)際博覽中心盛大舉辦。作為亞洲規(guī)模最大的半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)，本屆展會(huì)吸引了來(lái)自全球的1200多家企業(yè)參展，集中展示了半導(dǎo)體制造、設(shè)計(jì)、材料、設(shè)備等領(lǐng)域的最新技術(shù)成果。在這場(chǎng)行業(yè)盛宴中，國(guó)內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)薩科微(S……

近日，螞蟻集團(tuán)宣布成功利用中國(guó)自主研發(fā)的芯片技術(shù)，將其AI模型訓(xùn)練成本降低20%。這一突破性進(jìn)展不僅展示了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速進(jìn)步，也為整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。在這一背景下，薩科微(Slkor)等國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)正通過(guò)創(chuàng)新產(chǎn)品為電子設(shè)備提供關(guān)鍵保護(hù)——其明星產(chǎn)品SMF33A瞬態(tài)抑制二極管(TVS)正是國(guó)產(chǎn)芯片技……

中科院全固態(tài)深紫外（DUV）光源技術(shù)的突破，讓國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)核心部件的自主化進(jìn)程向前邁進(jìn)一大步。然而，在光刻機(jī)內(nèi)部精密的光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，一個(gè)常被忽視的真相是：每束DUV光子的精準(zhǔn)投射，都離不開(kāi)納米級(jí)瞬態(tài)電壓的嚴(yán)密守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB20CA瞬態(tài)抑制二極管，正以“光電邊界守衛(wèi)者”的姿態(tài)，成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備突破的……

近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導(dǎo)體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國(guó)產(chǎn)AI芯片崛起的標(biāo)志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個(gè)常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開(kāi)防護(hù)元件的靜默守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的SLESD5Z36瞬態(tài)抑制二極管，正……

在工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)電子及通信電源等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，瞬態(tài)電壓事件對(duì)電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的高壓瞬態(tài)抑制（TVS）二極管，通過(guò)參數(shù)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了對(duì)浪涌脈沖、ESD及感性負(fù)載切換的精準(zhǔn)防護(hù)。其24V反向工作電壓、50pF結(jié)電容及SOD-523封裝特性，使其成為高壓、緊湊型電子……

在電子設(shè)備向低功耗、高頻化方向發(fā)展的背景下，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管作為關(guān)鍵防護(hù)元件，需同時(shí)滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場(chǎng)景設(shè)計(jì)的TVS二極管，通過(guò)參數(shù)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了對(duì)靜電放電（ESD）、電感負(fù)載瞬變及浪涌脈沖的精準(zhǔn)抑制，成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)的優(yōu)選方案。

九峰山實(shí)驗(yàn)室發(fā)布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設(shè)計(jì)套件，標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體技術(shù)正式邁入亞百納米時(shí)代。這項(xiàng)突破使氮化鎵功率器件的導(dǎo)通電阻降低40%，開(kāi)關(guān)頻率突破1GHz大關(guān)，為5G基站、車(chē)載激光雷達(dá)和消費(fèi)電子快充領(lǐng)域打開(kāi)了效率革命的大門(mén)。然而，實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)揭示了一個(gè)關(guān)鍵矛盾：當(dāng)?shù)壘w管柵極長(zhǎng)度縮短至100nm量級(jí)時(shí)，其……

當(dāng)浙江大學(xué)將鈣鈦礦LED推進(jìn)至90納米量級(jí)，全球光電領(lǐng)域正迎來(lái)一場(chǎng)關(guān)于"極限"的競(jìng)賽。這項(xiàng)突破不僅意味著LED可像紙張般輕薄、如手機(jī)屏幕般彎曲，更預(yù)示著未來(lái)顯示與照明技術(shù)將突破傳統(tǒng)物理形態(tài)的桎梏。然而，在這場(chǎng)納米級(jí)光電革命的背后，一個(gè)容易被忽視的真相是：每毫米厚度的減少，都伴隨著材料對(duì)電壓波動(dòng)的敏感性呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。而薩……

在電源系統(tǒng)向高頻化、高可靠性演進(jìn)的過(guò)程中，瞬態(tài)電壓抑制技術(shù)已成為保障設(shè)備安全運(yùn)行的最后一道防線。薩科微公司推出的P6SMB39CA瞬態(tài)抑制二極管（TVS），以其精準(zhǔn)的電壓控制能力和優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng)特性，為39V電源系統(tǒng)提供了革命性的保護(hù)方案。這款器件通過(guò)半導(dǎo)體工藝的突破，在納米級(jí)尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)過(guò)電壓事件的精準(zhǔn)打擊，正在重……