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發(fā)布時間:2025-03-27作者來源:薩科微瀏覽:800
引言:當(dāng)AI芯片突破摩爾定律,防護技術(shù)正成為隱形戰(zhàn)場
近日,珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息,在半導(dǎo)體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度,成為國產(chǎn)AI芯片崛起的標(biāo)志性事件。然而,在算力狂飆的表象之下,一個常被忽視的真相是:每一次芯片性能的躍升,都離不開防護元件的靜默守護。薩科微半導(dǎo)體推出的SLESD5Z36瞬態(tài)抑制二極管,正以“隱形冠軍”的姿態(tài),為AI時代的硬件安全筑起銅墻鐵壁。
薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SLESD5Z36產(chǎn)品圖
AI芯片的高密度集成與低功耗設(shè)計,使其對電磁干擾(EMI)、靜電放電(ESD)等瞬態(tài)電壓事件愈發(fā)敏感。珠海皓澤VVT300的流片成功,標(biāo)志著國內(nèi)廠商在先進制程工藝和架構(gòu)設(shè)計上的突破,但其背后隱藏的挑戰(zhàn)同樣值得關(guān)注:
· 納米級制程脆弱性:7nm/5nm工藝下,晶體管柵極氧化層厚度僅1-2nm,一次ESD事件即可造成不可逆損傷;
· 高頻信號完整性:AI芯片內(nèi)部數(shù)?;旌闲盘柌⑿刑幚?,防護元件需兼具低電容(<30pF)與高響應(yīng)速度;
· 功耗與散熱平衡:防護器件需避免成為熱設(shè)計瓶頸,同時滿足AEC-Q101等車規(guī)級認(rèn)證要求。
薩科微SLESD5Z36的推出,恰是針對上述痛點的精準(zhǔn)打擊。其28pF超低壓電結(jié)電容、55V箝位電壓與SOD-523微型封裝的組合,使其在保護AI芯片I/O端口、電源軌及高速接口時,幾乎不引入額外寄生參數(shù),成為高集成度設(shè)計的“隱形護衛(wèi)”。
薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SLESD5Z36規(guī)格書
薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SLESD5Z36相關(guān)參數(shù)
參數(shù) | SLESD5Z36 | 傳統(tǒng)TVS管 |
封裝尺寸 | 0.8mm×0.6mm | ≥1.0mm×0.6mm |
電容值 | 28pF(@1MHz) | 50-100pF |
漏電流 | 5μA(@36V) | ≥10μA |
箝位響應(yīng)速度 | <1ns | >5ns |
三大核心優(yōu)勢賦能AI場景:
1. 超低電容設(shè)計:在保護AI芯片PCIe 5.0/HDMI 2.1等高速接口時,避免信號失真,支持28Gbps數(shù)據(jù)傳輸;
2. 精準(zhǔn)箝位能力:55V箝位電壓與40V擊穿電壓的“黃金差”,確保在ESD沖擊下快速導(dǎo)通,同時避免誤觸發(fā);
3. 熱穩(wěn)定性:采用優(yōu)化摻雜工藝,在125℃高溫下仍保持90%以上防護效能,適配自動駕駛域控制器等嚴(yán)苛場景。
薩科微的技術(shù)突破,正在重塑半導(dǎo)體防護邏輯。以珠海皓澤VVT300為代表的AI芯片,其安全防護已不再是簡單的TVS管堆疊,而是需要:
· 全生命周期防護:從晶圓級測試到終端應(yīng)用,薩科微提供HBM 8kV、CDM 1.5kA等級防護方案;
· 定制化設(shè)計支持:針對AI芯片電源樹(Power Delivery Network)優(yōu)化,提供多通道陣列式防護布局;
· 失效模式預(yù)警:通過集成溫度傳感器與智能監(jiān)測IC,實現(xiàn)防護器件的健康狀態(tài)實時監(jiān)控。
當(dāng)行業(yè)聚焦于算力軍備競賽時,薩科微用SLESD5Z36證明:半導(dǎo)體安全的每一寸進步,都在為技術(shù)創(chuàng)新托底。從珠海皓澤的VVT300到全球AI芯片浪潮,防護元件正成為決定產(chǎn)品成敗的“隱性基因”。對于工程師而言,選擇薩科微意味著選擇一種“預(yù)防為主”的硬件哲學(xué)——在算力狂飆的時代,安全從不是[敏感詞]品,而是生存的必需品。
薩科微slkor瞬態(tài)抑制二極管(TVS)
薩科微slkor榮譽資質(zhì)和科研成果
關(guān)于薩科微slkor:
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