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為什么晶圓先進(jìn)制程需要FinFET?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1325
FinFET技術(shù)在晶圓制造中引入了一種創(chuàng)新的三維晶體管結(jié)構(gòu),通過(guò)增強(qiáng)柵極控制和降低漏電流,實(shí)現(xiàn)了更高效的晶體管性能。這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能的半導(dǎo)體器件是至關(guān)重要的。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小,F(xiàn)inFET技術(shù)的應(yīng)用也變得越來(lái)越普遍和重要。 1. 背景:傳統(tǒng)平面晶體管的局限性 在傳統(tǒng)的平面金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)中,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的縮?。ū热鐝?0nm到65nm再到更小的節(jié)點(diǎn)),我們遇到了以下技術(shù)挑戰(zhàn): 短溝道效應(yīng):隨著晶體管的柵極長(zhǎng)度縮短,柵極對(duì)溝道的控制能力減
聊聊DRAM的原理、結(jié)構(gòu)、工藝挑戰(zhàn)、未來(lái)發(fā)展
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1623
1. DRAM的基本概念 DRAM(Dynamic Random-Access Memory)是一種存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中。 圖:存儲(chǔ)芯片分類 與SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)不同,DRAM需要周期性地刷新來(lái)保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),這就是“動(dòng)態(tài)”的含義。每個(gè)DRAM單元……
聊聊高壓CMOS工藝
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1502
高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門(mén)為處理高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)的CMOS技術(shù)。HVCMOS技術(shù)因其能夠處理高壓且同時(shí)具備低壓CMOS電路的所有優(yōu)勢(shì),使其在現(xiàn)代電子設(shè)備的各個(gè)領(lǐng)域中成為不可或缺的技術(shù)。無(wú)論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場(chǎng)景,HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎(chǔ)CM……
晶圓制造之化學(xué)氣相沉積CVD工藝
  • 更新日期: 2024-09-19
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在制造集成電路時(shí),有時(shí)候我們需要在硅片(也就是晶圓)表面上沉積一些特定的材料層,比如氮化硅(Si?N?)或氮氧化硅(SiON)。這些材料層不能直接從基板上生成,所以我們采用化學(xué)氣相沉積(CVD)這種方法。 CVD的原理是:我們將含有所需元素的氣體引入到反應(yīng)室中,然后通過(guò)加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……
寸土寸金的晶圓為啥要留平邊(flat)或凹槽(notch)?
  • 更新日期: 2024-09-19
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晶圓上留下的平邊(flat)或凹槽(notch)主要用于幫助在制造和處理過(guò)程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識(shí)別 硅晶圓是由單晶硅錠通過(guò)切片制成的,硅晶錠的晶向(晶體結(jié)構(gòu)排列的方向)對(duì)于半導(dǎo)體器件的性能和加工工藝非常重要。 晶向包括常見(jiàn)的(100)、(110)和(111)晶向,不……
一文讀懂先進(jìn)封裝的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
  • 更新日期: 2024-09-19
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先進(jìn)封裝的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸點(diǎn))、RDL(重布線層)、Wafer(晶圓)——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們?cè)诜庋b工藝中各自承擔(dān)的功能,從不同維度推動(dòng)了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer(晶圓):基礎(chǔ)材料和封裝載體 Wafer 是先進(jìn)封裝的基礎(chǔ),作為芯片……
聊聊光刻機(jī)的原理、現(xiàn)狀與未來(lái)
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1623
光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備,相當(dāng)于芯片制造工藝的“印刷機(jī)”,它的精度直接影響芯片的制程和性能。 根據(jù)不同光源類型,光刻機(jī)可以分為UV(紫外線)、DUV(深紫外線)和EUV(極紫外線)三大類。光刻機(jī)的分辨率主要由兩個(gè)參數(shù)決定:光源的波長(zhǎng)(λ)和物鏡系統(tǒng)的數(shù)值孔徑(NA)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),波……
先進(jìn)封裝核心技術(shù)之一:TSV
  • 更新日期: 2024-09-19
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在先進(jìn)封技術(shù)中,TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)是一種關(guān)鍵的垂直互連技術(shù),它通過(guò)在芯片內(nèi)部打通的通道實(shí)現(xiàn)了電氣信號(hào)的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸效率,減少信號(hào)延遲,降低功耗,并提升封裝的集成密度。以下是對(duì)TSV技術(shù)的詳細(xì)解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……
最“芯”進(jìn)展!薩科微SLKOR半導(dǎo)體阻擊長(zhǎng)沙米拓釣魚(yú)碰瓷案件走上高院(薩科微9月19日芯聞)
  • 更新日期: 2024-09-19
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圖源:金航標(biāo)和薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)朋友圈 國(guó)際: 1、三星電子收獲了一份2nm制程先進(jìn)工藝代工訂單,將為美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)安霸Ambarella生產(chǎn)ADAS芯片,預(yù)計(jì)于2025年流片,并計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2、以色列Tower半導(dǎo)體和印度阿達(dá)尼集團(tuán)計(jì)劃斥資100億美元,在印度孟買(mǎi)附近……
長(zhǎng)沙米拓信息涉嫌偷稅漏稅!薩科微宋仕強(qiáng)發(fā)布米拓碰瓷應(yīng)對(duì)措施 (三)
  • 更新日期: 2024-09-18
  • 瀏覽次數(shù): 4371
今天一大早聽(tīng)到“三只羊”被查了,看來(lái)群眾和輿論的監(jiān)督還是非常有效,我這兩天就收到了全國(guó)朋友們發(fā)來(lái)的長(zhǎng)沙米拓信息涉嫌偷稅漏稅的部分證據(jù)。長(zhǎng)沙米拓信息盜取了6萬(wàn)家企業(yè)的網(wǎng)站信息,計(jì)劃逐個(gè)碰瓷敲詐。聽(tīng)說(shuō)楊海軍、聶剛、龍存云等黑骨干已經(jīng)計(jì)劃發(fā)橫財(cái)后移民國(guó)外,我金航標(biāo)和薩科微slkor(www.jj-led.cn)宋仕……
3GPP首個(gè)6G標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目獲通過(guò) 中國(guó)移動(dòng)擔(dān)任報(bào)告人(薩科微9月18日每日芯聞)
  • 更新日期: 2024-09-18
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立創(chuàng)商城吳波與金航標(biāo)宋仕強(qiáng)在比賽現(xiàn)場(chǎng) 國(guó)際: 1.英特爾獲美國(guó)聯(lián)邦35億美元補(bǔ)助,這筆補(bǔ)助將用于生產(chǎn)軍用芯片。 2.美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布了一份報(bào)告,顯示2023年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到了5270億美元,預(yù)估2024年銷售額將超過(guò)6000億。 3.泰克收購(gòu)電子負(fù)載制造商 EA Elektro-Au……
量測(cè)三件套:線寬、套刻、膜厚 全球設(shè)備供應(yīng)商產(chǎn)品全收錄
  • 更新日期: 2024-09-14
  • 瀏覽次數(shù): 1702
Today, let's return to the main task in front of me: collecting and organizing industry data for semiconductor testing and measuring equipment

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