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碳化硅SiC是一種由硅Si和碳C構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料，通常采用4H-SiC晶型。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅Si的10倍，能隙是硅Si的3倍，導(dǎo)熱系數(shù)是硅Si的3倍，飽和飄移速度是硅Si的2.7倍。是比硅Si優(yōu)越非常多的功率電子器件材料。